C11G - CMOS логика

Технология C11G является оптически уменьшенной на 10% версией технологии C13G.
В технологии C11G сохраняются электрические параметры и технологические нормы технологии C13G вплоть до передачи в производство, однако данная технология позволяет увеличить количество кристаллов на пластине, что приводит к естественному сокращению расходов наших клиентов.

Ключевые особенности процесса C11G

  • Производственный стандарт технологии КМОП 0,13 мкм, оптически уменьшенный на 10%
  • Один поликремний, до 8 слоев металлизации
  • Напряжения питания: ядро 1,2 В, площадки ввода/вывода 2,5В/3,3В
  • Доступные опции: Vt и Low Vt приборы 
  • Силицидированные кобальтом исток, сток и затвор
  • Изоляция мелкой канавкой
  • Медная металлизация (двойной дамасский процесс)
  • Межслойный диэлектрик из фторосиликатного стекла
  • Конденсатор типа Металл-Диэлектрик-Металл (опционально)
  • Площадь ячейки SRAM памяти: 1,96 кв.мкм

Physical Design Rules




Electrical Design Rules




Foundation IP




Более полную информацию о данной технологии Вы можете найти на сайте компании Silterra.