Ключевые особенности процесса C11AL eFlash

  • Производственный стандарт технологии КМОП 0,13 мкм, оптически уменьшенный на 10%
  • Один поликремний, до 6 слоев металлизации
  • Напряжения питания: ядро 1,2 В, площадки ввода/вывода 3,3 В
  • Доступные опции: Vt и Low Vt приборы
  • Поддержка SuperFlash (встроенная NOR flash память)
  • Силицидированные кобальтом исток, сток и затвор
  • Изоляция мелкой канавкой
  • Алюминиевая металлизация
  • Межслойный диэлектрик из фторосиликатного стекла
  • Конденсаторы типа Металл-Диэлектрик-Металл (опционально)
  • Конфигурация СФ-блока Flash памяти по требованиям заказчика
  • Площадь ячейки SRAM памяти: 1.92 кв.мкм.

Physical Design Rules




Electrical Design Rules




Foundation IP




Более полную информацию о данной технологии Вы можете найти на сайте компании Silterra.