IoT технология

Данная технология рекомендована для Интернет Вещей.

Ключевые особенности процесса I18L eFlash

•    Технология со сверхнизкими токами утечки
•    Один слой поликремния, до 6 слоев металлизации
•    Напряжения питания: ядро - 1,8 В, площадки ввода/вывода - 3,3 В
•    3 типа низкопотребляющих приборов (ULL, LP, HP)
•    Поддержка SuperFlash (встроенная NOR flash память)
•    Силицидированные кобальтом исток, сток и затвор
•    Изоляция мелкой канавкой
•    Алюминиевая металлизация с переходными окнами из вольфрама
•    Межслойный диэлектрик из фторосиликатного стекла
•    Конденсаторы типа Металл-Диэлектрик-Металл (опционально)
•    Конфигурация СФ-блока Flash памяти по требованиям заказчика
•    Площадь ячейки SRAM памяти: 2.97 кв.мкм.

Physical Design Rules




Electrical Design Rules




Foundation IP




Более полную информацию о данной технологии Вы можете найти на сайте компании Silterra.